Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (6)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>A=Zayachuk D$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 5
Представлено документи з 1 до 5
1.

Zayachuk D. M. 
Specific magnetic properties of the Eu-doped PbTe single crystals [Електронний ресурс] / D. M. Zayachuk, V. I. Mikityuk, A. V. Pashuk, V. V. Shlemkevych, K. S. Ulyanitsky, D. Kaczorowski // Журнал фізичних досліджень. - 2012. - Т. 16, Число 1-2. - С. 1703-1-1703-7. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jphd_2012_16_1-2_10
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.846 Mb    Зміст випуску     Цитування
2.

Zayachuk D. M. 
Magnetic-ordered and superconducting units within the surface layers of PbTe: Eu crystals grown from melt by the Bridgman method [Електронний ресурс] / D. M. Zayachuk, O. S. Ilyina, D. Kaczorowski, V. I. Mikityuk, V. V. Shlemkevych // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 4. - С. 336-343. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_4_6
Presented in this work are the results of the first systematic study of magnetic properties inherent to surface layers of PbTe:Eu crystals grown from melt with a low initial concentration of Eu impurity <$E N sub roman Eu sup roman іnt (ml)> (about <$E 1~cdot~10 sup 19~roman cm sup -3>) using the Bridgman method. The magnetic field dependences of magnetization at the temperature 1,72 K and temperature dependences of magnetic susceptibility within the temperature range 1,7 to 10 K of the surface powder samples has been investigated. Inside the surface layers, formation of both small magnetic complexes based on Eu impurity and lead-based inclusions superconducting at low temperatures, which originate in a correlated way during the growth process of doped ingots, has been established. The observed correlations are manifested in a consistent distribution of both europium-based and lead-based units along the lateral surface, where the probability of their formation increases towards the end of the doped ingot. Based on the analysis of the obtained magnetic data, it has been suggested that the lead-based inclusions, being formed within the surface layer of PbTe:Eu crystals during the process of their growth and passing into a superconducting state on cooling, are the type II superconductors with a very high top critical field <$E H sub c2> at low temperatures. At T = 1,7 K, <$E H sub c2> of the inclusions is estimated to exceed 50,0 kOe. The important role of the background oxygen impurity in formation of magnetic properties of the surface layers of PbTe:Eu crystals has been suggested.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.607 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Zayachuk D. M. 
Small Eu Complexes into the Bulk and the Surface Layers of PbTe:Eu Crystals Doped With Different Impurity Concentration [Електронний ресурс] / D. M. Zayachuk, O. S. Ilyina, V. I. Mikityuk, V. V. Shlemkevych, D. Kaczorowski, A. Csik // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 4. - С. 726-729. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_4_7
Наведено результати перших експериментальних доказів діаметрально протилежного розподілу дрібних магнітних комплексів домішки Eu вздовж об'єму та бокових поверхонь кристалічних зливків PbTe:Eu, вирощених з легованих розплавів з істотно різною початковою концентрацією легуючої домішки Nint(Eu). Якщо концентрація Eu досить висока, така, що в процесі росту легуюча домішка входить в об'єм легованого зливку (<$E roman {N sub int (Eu)}~=~1~cdot~10 sup 20> см<^>-3), то дрібні комплекси Eu формуються в основному на початку зливку, а в напрямку до його кінця ймовірність формування комплексів зменшується. Якщо концентрація домішки Eu є настільки малою, що вся вона в процесі росту виштовхується на поверхню легованого зливку (<$E roman {N sub int (Eu)}~=~1~cdot~10 sup 19> см<^>-3), ймовірність утворення комплексів є мінімальною на початку зливку і збільшується у напрямку до його кінця. Обговорено можливу роль фонової домішки кисню у формуванні виявлених особливостей розподілу домішки Eu в кристалах PbTe:Eu.
Попередній перегляд:   Завантажити - 139.161 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Zayachuk D. M. 
Morphology of PbTe Crystal Surface Sputtered by Argon Plasma under Secondary Neutral Mass Spectrometry Conditions [Електронний ресурс] / D. M. Zayachuk, V. E. Slynko, A. Csik // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17, № 3. - С. 336-341. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2016_17_3_5
Досліджено морфологію бічних поверхонь кристалічних зразків PbTe, вирощених із розплаву за допомогою методу Бріджмена та розпорошених у плазмі Ar<^>+ із енергією іонів 50 - 550 еВ протягом 5 - 50 хв за умов вторинної нейтральної мас-спектрометрії. Встановлено, що розпорошені кристалічні поверхні PbTe одночасно були і джерелом розпорошеної речовини та ефективним субстратом для повторного осадження розпорошеної речовини через глибоке профілювання. У процесі розпилювання поверхні кристалу PbTe формується поглиблення рельєфу. Для того, щоб повторно осідали розпорошені Pb і Te, формують масиви мікроскопічних поверхневих структур у формі горбків, пірамід, конусів та інших на кристалічних поверхнях розпиленого PbTe. Показано кореляцію між щільністю повторно осаджених мікроскопічних поверхневих структур, їх формою і середніми розмірами, з однієї сторони, та енергією і часом розпилення, з іншої сторони.
Попередній перегляд:   Завантажити - 3.274 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Zayachuk D. 
Sputtering Rate of Lead, Tin and Germanium Tellurides with Low Energy Argon Ions [Електронний ресурс] / D. Zayachuk, V. Slynko, A. Csík // Computational problems of electrical engineering. - 2021. - Vol. 11, № 1. - С. 36-42. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/CPoee_2021_11_1_9
Досліджено розпорошення кристалів PbTe, SnTe та GeTe іонами Ar<^>+ низької енергії, визначено швидкість розпорошення <$E nu sub sp> та її залежність від складу кристалічної матриці й енергії розпорошення. Встановлено, що за однакових умов швидкість розпорошення телуридів GeTe-SnTe-PbTe зростає зі збільшенням їх середньої атомної маси. Виявлені зміни пояснено змінами поверхневої енергії зв'язку атомів металів у телуридах свинцю, олова та германію. Показано, що для всіх досліджуваних сполук швидкість розпорошення зростає також зі збільшенням енергії розпорошення. У діапазоні енергій від 160 до 550 еВ це збільшення є майже лінійним. Розраховано коефіцієнти зміни швидкості розпорошення з енергією <$E d nu sub sp "/" dE>. Визначено поверхневу густину іонно-індукованих структур і відносну площу покритої ними розпорошеної поверхні для природних бокових поверхонь кристала PbTe, вирощеного з розплаву методом Бриджмена, як функцію енергії розпорошення. Показано, що за постійного часу розпорошення обидва параметри експоненційно зменшуються зі збільшенням енергії розпорошення.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.454 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського